رسالة على الانترنت
المزيد من المعلومات
2018年11月20日 شکل 1: شار مغناطیسی تولیدی با یک سیم‌پیچ NNNدوری. براساس قانون فارادی، ولتاژ القا شده سیم‌پیچ (vvv)، با تعداد دورهای NNNو نرخ تغییر شار مغناطیسی ϕ\phiϕمتناسب است. یعنی: اما شار ϕ\phiϕبا جریان iiiتولید ...
خبير الاتصال
در تحلیل عملکرد عناصر و مدارهای مغناطیسی، مفاهیمی مانند میدان مغناطیسی، چگالی شار، ضریب نفوذ پذیری و عنوان می‌شوند. در این مقاله سعی خواهیم کرد تا این مفاهیم مورد نیاز را معرفی کنیم.
خبير الاتصال
شکل موج AC (جریان متناوب)، با چرخش یک سیم پیچ در یک میدان مغناطیسی ایجاد می‌شود و ولتاژها و جریان‌های متناوب را ایجاد می‌کند.
خبير الاتصال
نیروی محرکه مغناطیسی، به شار مغناطیسی کل رِلوکتانس مقاومت مغناطیسی یا به عبارتی نفوذ پذیری مغناطیسی است. این پارامتر از لحاظ ریاضی مشابه با مقاومت الکتریکی در مدارهای الکتریکی است. R = F/Φ
خبير الاتصال
2024年10月11日 در این مقاله ابتدا به تعریف مدار الکتریکی پرداخته‌ایم، سپس اجزای مدار الکتریکی را معرفی کرده‌ایم و در انتها، نحوه عملکرد مدار الکتریکی را تشریح کرده‌ایم.
خبير الاتصال
مدار همچنین با این تعریف می‌تواند مسیر بسته‌ای باشد که شار الکتریکی یا مغناطیسی را از درون خود گذر می‌دهد. مدارها بر حسب دامنهٔ کارکرد به دو دسته تقسیم می‌شوند.
خبير الاتصال
عدد کوانتومی مغناطیسیِ یک اوربیتال، بین L- و L+ قرار دارد. برای نمونه اعداد کوانتومی مغناطیسی برای اوربیتال p که L مربوط با آن ۱ است، برابر با 1+,1,0- در نظر گرفته می‌شوند.
خبير الاتصال
این قطعه از عناصر حسگر جریان مانند یک نوار بی متال یا محرک مغناطیسی تشکیل شده است. ترمینال‌ها: سیم‌های خروجی و ورودی به ترمینال‌های کلید مدار متصل می‌شوند. محفظه: محفظه از قطعات کلید ...
خبير الاتصال
2024年10月5日 رلوکتانس در یک مدار مغناطیسی عبارت است از نسبت نیروی محرکه مغناطیسی، به شار مغناطیسی کل: = که در آن رلوکتانس بر حسب آمپر دور بر وبر است. نیروی محرکه مغناطیسی برحسب آمپر دور است. Φ شار مغناطیسی بر حسب وبر می‌باشد. هوا و آب ...
خبير الاتصال
این مدل نمونه ای از بهینه سازی توپولوژی مدار مغناطیسی یک درایور بلندگو را ارائه می دهد. بهینه‌سازی توپولوژی برای یافتن طراحی یک قطعه قطب آهن غیرخطی و صفحه بالایی که عملکرد را با هدف معین به حداکثر می‌رساند، در حالی که ...
خبير الاتصال
این مدل نمونه ای از بهینه سازی توپولوژی مدار مغناطیسی یک درایور بلندگو را ارائه می دهد. بهینه‌سازی توپولوژی برای یافتن طراحی یک قطعه قطب آهنی غیرخطی و صفحه بالایی که عملکرد را با هدف معین به حداکثر می‌رساند، در حالی که ...
خبير الاتصال
بهینه سازی توپولوژی یک مدار مغناطیسی معرفی این مدل نمونه ای از بهینه سازی توپولوژی
خبير الاتصال
2024年10月14日 پاسخ مغناطیسی از طریق یک مدار الکتریکی تهویه کننده سیگنال تغذیه می شود و به عنوان یک سیگنال دیجیتال به دستگاه کنترل ... عناصر هال استفاده شده در انکودر مغناطیسی از مواد نیمه هادی ...
خبير الاتصال
5 天之前 حلقه فریت، همچنین به عنوان بلوک فریت، هسته فریت، مهره فریت شناخته می شود، بخشی حلقه ای شکل است که از مواد مغناطیسی فریت مونتاژ شده است. ویژگی حلقه فریت چیست؟ ۱. خواص شکل مهره فریت به طور کلی یک ساختار حلقه ای است که از ...
خبير الاتصال
در یک مدار سری، جمع فازوری ولتاژهای عناصر مدار برابر با ولتاژ تغذیه (VS) است. در یک مدار موازی، جمع فازوری جریان‌های جاری در هر شاخه و نیز در هر یک از عناصر مدار، برابر با جریان تغذیه (IS) است.
خبير الاتصال
با این تعریف مدار می‌تواند گرافی متشکل از رساناها و عناصر نیمه‌هادی و نیم‌رسانا باشد که مسیر عبور جریان است. مدار همچنین با این تعریف می‌تواند مسیر بسته‌ای باشد که شار الکتریکی یا مغناطیسی را از درون خود گذر می‌دهد.
خبير الاتصال
2024年9月5日 در ساختار رله مغناطیسی از یک سیم پیچ و کنتاک باز NO (Normally Open) و کنتاک بسته NC (Normally Close) تشکیل شده در حالی که، در رله حالت جامد (SSR) فاقد قطعات متحرک بوده و از عناصر نیمه هادی مانند ترایاک، ترانزیستور و یا تریستور برای قطع و وصل
خبير الاتصالتقویت کننده مغناطیسی ، تقویت کننده ی مغناطیسی تقویت کننده ای بر اساس خواص غیر خطی واکنشگرهای اشباع شدنی ، به تنهایی یا در ترکیب با سایر عناصر مدار ، برای ایجاد تقویت سیگنال ورودی DC یا AC برای تغییر درجه اشباع هسته به سیم ...
خبير الاتصال
هرچند که وجود عنصر پسیو در یک مدار تقویت‌کنندگی و هدایت مدار را افزایش نمی‌دهد، اما از آنجایی که همواره بهره‌ی این عناصر کمتر از واحد است، به عنوان «تضعیف‌کننده» عمل می‌کنند.
خبير الاتصال
فیلتر مغناطیسی مدار گرمایش RG7 بسیار با دوام – محافظت از هرگونه ضربه و فشار بیرونی به عبت داشتن محفظه پلیمری – بهبود راندمان و افزایش طول عمر پکیجهای کارکرده و نو – جلوگیری از مشکلات و خرابی های ناشی از ناخالصی ها و ذرات ...
خبير الاتصال
تاثیر جفت شدگی اسپین مدار بر خواص الکترونی حلقه‌های کوانتومی دو بعدی در این مقاله، یک حلقه‌ی کوانتومی را در نظر گرفته و سپس ترازهای انرژی آن تحت تأثیر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی و در حضور برهم‌کنش اسپین ...
خبير الاتصال
مدل مدار مغناطیسی : Magnetic circuit model صفحه اصلی خدمات مهندسی برق ترجمه تخصصی مهندسی برق ترجمه مقاله مهندسی برق ترجمه کتاب ترجمه کاتالوگ ترجمه فوری ...
خبير الاتصالشکل مغناطیسی بخش غیر مغناطیسی ، مانند شکاف هوایی ، در مدار مغناطیسی : magnetic gap آشکار ساز مغناطیسی آشکال غیر عادی مغناطیس سنج راهنمایی که وجود زیر دریاییهای زیر آب را آشکار می کند جریان مستقیمی از یک سیم پیچ پیچیده بر روی ...
خبير الاتصال
در بالا، مشاهده کردیم، که عناصر پسیو در مدارهای AC، به‌دلیل تاثیر فرکانس (f) رفتار متفاوتی نسبت به مدار DC دارند.در یک مدار کاملا مقاومتی، جریان با ولتاژ هم‌فاز است. در یک مدار کاملا خازنی، جریان در خازن 90° از ولتاژ جلوتر ...
خبير الاتصال
عناصر مغناطیسی : magnetic elements صفحه اصلی خدمات مهندسی مواد و متالوژی ترجمه تخصصی مهندسی مواد و متالوژی ترجمه مقاله مهندسی مواد و متالوژی ...
خبير الاتصال
معادل های انگلیسی برای مدار مغناطیسی مدار مغناطیسی magnetic circuit پیشنهاد شما چیست؟ نام شما(اختیاری) ایمیل شما(اختیاری) اصلاحیه یا پیشنهاد شما: مانند پیشنهاد معنی جدید، رفع اشکال تایپی و ...
خبير الاتصال
در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکترونیکی و اپتیکی ترکیب Ca3CoMnO6در سه تقریب GGA، GGA+U، GGA+U+SO مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری و چگالی حالت های کلی را با استفاده از سه تقریب محاسبه و با یکدیگر مقایسه ...
خبير الاتصال
المزيد من المعلومات
حقوق حقوق التأليف والنشر: رقم التدوين Development Buide 10200540 -22. خط الخدمة: 0371-86549132. E-mail：[email protected] العنوان: الرقم البريدي رقم 169 Second Avenue Avenue New Avenue: Chengzhou الصين: إحصاءات الموقع الشبكي 450001.
